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频率: 800 MHz to 2.7 GHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.4 dB 隔离: 20 dB 耦合: 3 dB -
配置: 4 Way 频率: 1000 to 2000 MHz 插入损耗: 0.6 dB 隔离: 20 dB 输入功率: 30 W -
配置: 4 Way 频率: 1000 to 2000 MHz 插入损耗: 1 dB 隔离: 15 dB 输入功率: 250 W
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频率: DC to 4 GHz 衰减: 80 dB 电源: 100 W 驻波比: 1.08:1, 1.35:1 包装类型: Module with Connectors
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应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 800 MHz to 1 GHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
配置: 4 Way 频率: 1000 to 2000 MHz 插入损耗: 1 dB 隔离: 15 dB 输入功率: 250 W
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频率: DC to 4 GHz 衰减: 60 dB 电源: 100 W 驻波比: 1.08:1, 1.35:1 包装类型: Module with Connectors
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应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 800 MHz to 1 GHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.2 dB -
乐队: W Band 应用: Radar, Test & Measurement, Communication 完成: Gold Plated 降低拒收率: -40 dB 更低的抑制频率: DC to 88 GHz -
频率: 380 MHz to 2.7 GHz 衰减: 30 dB 电源: 50 to 100 W 驻波比: 1.20:1 包装类型: Module with Connectors -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 750 MHz to 1.5 GHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 750 MHz to 1.5 GHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
配置: 2 Way 频率: 8000 to 12000 MHz 插入损耗: 0.4 dB 隔离: 14 dB 输入功率: 100 W
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类型: Chip Capacitors 电容: 100 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 50 V
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应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
类型: Chip Capacitors 电容: 80 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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配置: 2 Way 频率: 8000 to 12000 MHz 插入损耗: 0.4 dB 隔离: 14 dB 输入功率: 100 W