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应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 380 to 520 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 380 to 512 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 380 to 520 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.2 dB -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
配置: 2 Way 频率: 500 to 1000 MHz 插入损耗: 0.25 dB 隔离: 20 dB 输入功率: 30 W -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 250 to 500 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
配置: 2 Way 频率: 500 to 1000 MHz 插入损耗: 0.3 dB 隔离: 20 dB 输入功率: 30 W
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应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 250 to 500 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
类型: Chip Capacitors 电容: 600 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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类型: Chip Capacitors 电容: 300 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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频率: DC to 4 GHz 衰减: 40 dB 电源: 100 W 驻波比: 1.06:1, 1.30:1 包装类型: Module with Connectors -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Digitally Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 200 to 400 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB -
类型: Chip Capacitors 电容: 250 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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类型: Chip Capacitors 电容: 200 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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类型: Chip Capacitors 电容: 150 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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类型: Chip Capacitors 电容: 125 pF 绝缘材料: Metal-Nitride-Silicon 外形尺寸: Chip 电压 (WVDC): 100 V
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配置: 2 Way 频率: 4000 to 8000 MHz 插入损耗: 0.4 dB 隔离: 16 dB 输入功率: 100 W
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应用: 3G 应用类型: Radar 频率: 200 to 400 MHz 平均功率: 100 W 插入损耗: 0.3 dB