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- Tom H Lee The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits
- the design of cmos radio-frequency integrated circuits by thomas lee
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类型: Cavity Filter 应用: 4G/LTE 频率: 869 to 894 MHz 带宽: 25 MHz 中心频率: 881.5 MHz -
连接器: SMA 适配器 - 性别 1: Female 适配器 - 性别 2: Female 性别: Female-Female 机身材料: Stainless Steel -
类型: Cavity Filter 应用: GSM 频率: 869 to 894 MHz 带宽: 25 MHz 中心频率: 881.5 MHz -
连接器: SMA 适配器 - 性别 1: Female 适配器 - 性别 2: Female 性别: Female-Female 机身材料: Brass -
连接器: SMP 适配器 - 性别 1: Female 适配器 - 性别 2: Female 性别: Female-Female 机身材料: Beryllium Copper -
类型: Cavity Filter 应用: 5G 频率: 869 to 894 MHz 带宽: 25 MHz 中心频率: 881.5 MHz -
连接器: SMP 适配器 - 性别 1: Female 适配器 - 性别 2: Female 性别: Female-Female 机身材料: Beryllium Copper -
连接器: SMP 适配器 - 性别 1: Female 适配器 - 性别 2: Female 性别: Female-Female 机身材料: Beryllium Copper -
频率 F1: 5 to 390 MHz 频率 F2: 650 to 1000 MHz 衰减: 50 to 55 dB 衰减 F1: 50 to 55 dB @ 650 to 1000 MHz 衰减 F2: 50 to 55 dB @ 5 to 390 Mhz -
频率 F1: DC to 4.5 GHz 频率 F2: 6 to 16 GHz 电源: 50 to 125 W 峰值功率: 500 W 衰减: -90 to -80 dB -
数据速率: 106 kbps 尺寸: 5 x 5 mm 频率: 13.56 MHz 频段: HF 界面: SPI -
频率 F1: DC to 2.7 GHz 频率 F2: 4 to 13 GHz 电源: 100 to 200 W 衰减: -90 to -50 dB 衰减 F1: -90 dB -
频率 F1: DC to 2.7 GHz 频率 F2: 4 to 13 GHz 电源: 100 W 衰减: -90 to -50 dB 衰减 F1: -90 dB -
频率 F1: DC to 1 GHz 频率 F2: 1.4 to 4 GHz 电源: 100 W 衰减: -90 to -50 dB 衰减 F1: -90 dB -
连接器类型: TNC 极性: Standard 性别: Female / Jack 几何学: Straight 终端样式: Crimp -
频率 F1: 1.026 to 1.034 GHz 频率 F2: 1.086 to 1.094 GHz 电源: 16 W 峰值功率: 800 W 插入损耗: 1 to 4.5 dB -
频率 F1: 1.026 to 1.034 GHz 频率 F2: 1.086 to 1.094 GHz 电源: 16 W 峰值功率: 800 W 插入损耗: 1 to 4.5 dB -
类型: Coaxial Isolator 频率: 0.2 to 0.35 GHz 带宽: 20 MHz 平均大前锋: 300 W 平均功率反向: 150 to 200 W
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类型: Programmable, Multi-Channel, System, Digital, Computer Controlled 频率: 5 MHz to 1 GHz 渠道: 4 Channels 配置: Solid State 衰减范围: 63 dB -
频率 F1: 698 to 2690 MHz 频率 F2: 3300 to 4200 MHz 电源: 200 W (Avg) 峰值功率: 1000 W 衰减: 30 to 60 dB