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- solution manual The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits
- the design of cmos radio-frequency integrated circuits by thomas lee
- the design of cmos rf integrated circuits thomas h lee
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频率: 26.5 GHz 衰减: Passivated Stainless Steel 电源: 2 W 峰值功率: 500 W 驻波比: 1.5:1 -
应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 1.4 to 1.7 GHz -
配置: 4 Way 类型: Resistive Power Divider 频率: DC to 4 GHz 插入损耗: 0.5 to 0.7 dB 输入功率: 2 W
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类型: Ceramic Filter 频率: 1.06 to 1.43 GHz 插入损耗: 3 dB 拒绝: 10 to 60 dB 回波损耗: 12 dB
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频率: 26.5 GHz 衰减: Passivated Stainless Steel 电源: 2 W 峰值功率: 500 W 驻波比: 1.5:1
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波导尺寸: WR75 / WG17 / R120 频率: 10.7 to 11.7 GHz 带宽: 1000 MHz 电源: 25 W 法兰类型: Square -
频率: 75 to 110 GHz 平均功率: 0.5 W 衰减: 3 dB 配置: Fixed Attenuator 驻波比: 1.22:1 -
波导尺寸: WR75 / WG17 / R120 波导 WG: WG-17 波导 R: R-120 波导 WR: WR-75 连接器: SMA -
停止带频率: 814 to 849 MHz 带宽: 35 MHz 类型: Cavity Filter 应用行业: Cellular 应用: LTE -
配置: 4 Way 类型: Multi-Octave Power Divider 频率: 4 to 26.5 GHz 插入损耗: 2.9 to 3.3 dB 隔离: 18 to 20 dB
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类型: Ceramic Filter 频率: 1.08 to 1.32 GHz 插入损耗: 2 dB 拒绝: 30 to 70 dB 回波损耗: 15 dB
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类型: Coaxial Circulator 应用: Radar, Aerospace & Defence, Radio, Wireless Infrastructure 配置: Dual Junction 频率: 1.7 to 2.2 GHz 平均大前锋: 10 W -
频率: 75 to 110 GHz 平均功率: 0.5 to 0.75 W 衰减: 3 dB 配置: Fixed Attenuator 驻波比: 1.22:1 -
波导尺寸: WR75 / WG17 / R120 频率: 10 to 10.7 GHz 带宽: 700 MHz 电源: 25 W 法兰类型: Square -
类型: Ceramic Filter 频率: 1.08 to 1.32 GHz 插入损耗: 2 dB 拒绝: 30 to 70 dB 回波损耗: 15 dB
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应用: 4G/LTE, 5G NR, WCDMA 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 1.4 to 1.7 GHz -
频率: 26.5 GHz 衰减: Passivated Stainless Steel 电源: 2 W 峰值功率: 500 W 驻波比: 1.5:1
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停止带频率: 817.5 to 857.5 MHz 带宽: 40 MHz 类型: Cavity Filter 应用行业: Cellular 应用: W-CDMA -
类型: Ceramic Filter 频率: 1.08 to 1.32 GHz 插入损耗: 1.5 dB 拒绝: 30 to 70 dB 回波损耗: 15 dB