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应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
类型: VPIN Diode 频率: 50 MHz to 6 GHz 平面渗漏: 17 dBm 峰值输入功率: 100 W 输出功率有限: 17 dBm -
应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
类型: VPIN Diode 频率: 2 to 6.5 GHz 平面渗漏: 15.5 dBm 峰值输入功率: 100 W 输出功率有限: 15.5 dBm -
应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 1.92 to 2.17 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 1.7 to 2 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
应用: GSM 衰减: 40 dB 配置: Band Stop Filter 类型: Mechanically Controlled 频率: 0.67 to 1 GHz -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 2.1 to 2.2 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
类型: VPIN Diode 频率: 2 to 5.5 GHz 平面渗漏: 15.5 dBm 峰值输入功率: 100 W 输出功率有限: 15.5 dBm -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 1.93 to 1.99 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 1.8 to 1.88 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
应用: GSM 应用: ISM 应用: RFID 应用: SRD 衰减: 50 dB -
类型: Drop-in Circulator 配置: Single Junction 频率: 1.71 to 1.8 GHz 平均大前锋: 250 W 平均功率反向: 100 W -
类型: VPIN Diode 频率: 2 to 6 GHz 平面渗漏: 16.5 dBm 峰值输入功率: 100 W 输出功率有限: 16.5 dBm -
应用: GSM 应用: ISM 应用: RFID 应用: SRD 衰减: 50 dB
