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频率: 8 to 16 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.60 dB 插入损耗: 0.45 dB 隔离: 15 dB -
频率: 7 to 12.4 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.60 dB 插入损耗: 0.45 dB 隔离: 15 dB -
频率: 7 to 11 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.60 dB 插入损耗: 0.45 dB 隔离: 17 dB -
频率: 4 to 8 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.60 dB 插入损耗: 0.35 dB 隔离: 17 dB -
频率: 2.6 to 5.2 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±55 dB 插入损耗: 0.3 dB 隔离: 18 dB -
频率: 2 to 4 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.55 dB 插入损耗: 0.3 dB 隔离: 18 dB -
频率: 1 to 2 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.50 dB 插入损耗: 0.3 dB 隔离: 18 dB -
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频率: 500 MHz to 1 GHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.50 dB 插入损耗: 0.25 dB 隔离: 20 dB -
频率: 250 to 500 MHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.50 dB 插入损耗: 0.25 dB 隔离: 20 dB -
频率: 200 to 400 MHz 耦合: 3 dB 耦合变化: ±.50 dB 插入损耗: 0.25 dB 隔离: 20 dB -
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类型: IC 频率: 650 to 6000 MHz 应用_乐队: 3G, 4G, 5G 应用: Base Stations 应用: Small Cell -
类型: Module 频率: 75 to 6000 MHz 应用_乐队: 3G, 4G, 5 GHz 应用: Base Stations 数据速率: 3 to 24.3 Gbps
