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频率: 10.0 to 15.0 GHz 波导尺寸: WR75 / WG17 / R120 功率处理: 800 W 峰值功率: 350 kW 波长: 1/4 -
频率: 6.5 to 18 GHz 波导尺寸: WRD650 功率处理: 800 W 峰值功率: 12 kW 波长: 1/4 -
频率: 2 to 4.8 GHz 波导尺寸: WRD200 功率处理: 11800 W 峰值功率: 187 kW 波长: 1/4 -
频率: 0.41 to 0.62 GHz 波导尺寸: WR1800 / WG1 / R5 波长: 1/4 法兰类型: Cover 法兰样式: Rectangular -
间距: 50 um 应用: DDR3, DDR4, LPDDR3, LPDDR4, GDDR5, GDDR6, HBM, HBM2 with 2Hi, 4Hi, and 8Hi stack, KGD (known good die) and KGS (known good stack) test up to 3.2 Gbps Next-generation and emerging DRAM memory devices 特点: Higher parallelism, higher test efficiency, and lower cost of test by using Advanced TRE technology (ATRE), Excellent contact stability and electrical performance to optimize yield, Superior thermal operation to shorten soak time and improve scrub perform 频率: 125 MHz to 200 MHz 接触电阻: = 0.5 O(Power path resistance), = 0.1 O(Ground path resistance), = 10.0 O(Signal path resistance), = 2.0 O(Low resistance path signal path resistance) -
电感: 43 to 86 uH 直流电阻: 15 Ohms 直流电流: 0.028 A 自谐振频率: 5.6 MHz 安装: Leaded -
电感: 5.5 to 8.2 uH 直流电阻: 4.5 Ohms 直流电流: 0.05 A 自谐振频率: 32 MHz 安装: Leaded -
电感: 0.59 to 0.82 uH 直流电阻: 1.4 Ohms 直流电流: 0.1 A 自谐振频率: 180 MHz 安装: Leaded -
电感: 0.055 to 0.076 uH 直流电阻: 0.15 Ohms 直流电流: 0.25 A 自谐振频率: 615 MHz 安装: Leaded -
电感: 38 to 75 uH 直流电阻: 13.5 Ohms 直流电流: 0.03 A 自谐振频率: 5.9 MHz 安装: Leaded -
电感: 340 to 680 uH 直流电阻: 53 Ohms 直流电流: 0.015 A 自谐振频率: 2 MHz 安装: Leaded -
电感: 34 to 68 uH 直流电阻: 12 Ohms 直流电流: 0.03 A 自谐振频率: 6.2 MHz 安装: Leaded -
电感: 4.5 to 6.8 uH 直流电阻: 4.5 Ohms 直流电流: 0.055 A 自谐振频率: 34 MHz 安装: Leaded -
电感: 0.5 to 0.68 uH 直流电阻: 1.3 Ohms 直流电流: 0.1 A 自谐振频率: 240 MHz 安装: Leaded -
电感: 3.9 to 5.8 uH 直流电阻: 4.2 Ohms 直流电流: 0.058 A 自谐振频率: 36 MHz 安装: Leaded -
电感: 28 to 56 uH 直流电阻: 10.5 Ohms 直流电流: 0.035 A 自谐振频率: 6.3 MHz 安装: Leaded -
电感: 0.4 to 0.56 uH 直流电阻: 1.1 Ohms 直流电流: 0.1 A 自谐振频率: 250 MHz 安装: Leaded -
电感: 0.036 to 0.051 uH 直流电阻: 0.05 Ohms 直流电流: 0.25 A 自谐振频率: 700 MHz 安装: Leaded
