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CHE1260
简介:
10 to 27 GHz Bi-directionnal Detector GaAs Monolithic Microwave IC
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参数
- 类型 / Type : Diode Detector
- 应用 / Application : Commercial
- 频率 / Frequency : 10 to 27 GHz
- 最大输入功率 / Max Input Power : -8 to 18 dBm
- 动态范围 / Dynamic Range : 20 dB
- 二极管类型 / Diode_Type : Schottky Diode
- 电源电压 / Supply Voltage : 4.5 V
- 当前 / Current : 25 to 45 µA(Bias Current)
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.8 dB
- 名义偏差 / Nominal Bias : Biased
- 回波损耗 / Return Loss : -11 to -8 dB
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.41 x 1.41 x 0.1 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
- 备注 / Note : Technology : GaAs
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厂家介绍
United Monolithic Semiconductors 为国防、安全与航天、电信、汽车和工业应用设计、制造和销售领先的射频和毫米波元件及解决方案。我们的内部砷化镓和氮化镓技术具有最先进的性能。其中大部分技术采用代工模式。UMS 还基于砷化镓、氮化镓和硅锗技术提供高达 100GHz 的全系列目录产品,可提供裸芯片和 SMD QFN 无引线封装。
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