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概述
V系列电容器采用II类介电材料，具有X7R特性，适用于广泛频率范围内的直流阻断或射频旁路应用。这些高频、可焊接的单层电容器非常适合用于GaN和GaAs放大器应用，在小尺寸和微波性能方面是高效电路的关键。
参数
- 电容 / Capacitance : 1 nF ±20%
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 绝缘材料 / Dielectric Material : X7R
- 耗散系数 / Dissipation Factor : 2.50%
- 外形尺寸 / Form Factor : Surface Mount
- 绝缘阻抗 / Insulation Resistance : 102 to 103 MOhms
- 宽容 / Tolerance : 20%
- 电压 (WVDC) / Voltage (WVDC) : 200 WVDC
- 终止 / Termination : Au
- 终止 / Termination : Ni
- 包装 / Package : Waffle
- 尺寸 / Dimension : 0.03 x 0.03 x 0.022 Inch(L x W x T)
- 长度 / Length : 0.03 Inch
- 宽度 / Width : 0.03 Inch
- 高度/厚度 / Height/Thickness : 0.022 Inch
- RoHS / RoHS : Yes
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55 to 125 Degree C
应用
1. 直流阻断 2. 射频旁路 3. 过滤 4. 调谐 5. 耦合
特征
1. X7R温度稳定性 2. 优秀的高频响应 3. 可焊接 4. 符合RoHS标准 5. 小占地面积内高电容 6. MSL-1
详述
V系列电容器是一种高性能电容器，专为高频应用设计，尤其适用于GaN和GaAs放大器。它们采用II类介电材料，具有X7R特性，确保在广泛的温度范围内保持稳定性。电容器的设计使其在小巧的尺寸内提供高电容，适合在空间有限的电路中使用。无论是在直流阻断、射频旁路，还是其他高频应用中，V系列电容器都能提供卓越的性能和可靠性。其符合RoHS标准，确保环境友好。此外，电容器的优良高频响应和焊接能力使其在现代电子设备中成为理想选择。对于寻求高效和高性能解决方案的工程师和设计师来说，V系列电容器无疑是一个值得考虑的选项。
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智推产品：
V系列电容器 - 2.2nF
V系列电容器 - 4.7nF
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