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概述
GaAs单片微波集成电路限幅器，适用于10~18GHz频段。
参数
- 频率 / Frequency : 10 to 18 GHz
- 平面泄漏峰值 / Peak Flat Leakage : 0.02 W
- 输入功率 / Input Power : 30.19 W
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.47 to 0.7 dB
- 回波损耗 / Return Loss : 16.5 to 18.1dB (Input/Output)
- 恢复时间 / Recovery Time : 50 nS
- 驻波比 / VSWR : 1.35:1
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 1.52 x 1.57 x 0.1mm
- 输入连接器阻抗 / Input Connector Impedance : 50 Ohms
- 输出连接器阻抗 / Output Connector Impedance : 50 Ohms
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
- 应用类型 / Application Type : Avionics
- 应用类型 / Application Type : Transmitters and Receivers
- 应用类型 / Application Type : Synthesizers
- 应用 / Application : Military
- 应用 / Application : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
应用
1. 组装和连接图 2. 限幅器在微波电路中的应用
特征
1. 适用于宽频范围 2. 低插入损耗 3. 紧凑尺寸设计
详述
MLI_10-18G是MISO公司推出的一款高性能GaAs单片微波集成电路限幅器，专为10到18GHz频段设计，具备极低的插入损耗和出色的回波损耗性能。这款限幅器的尺寸仅为1.52x1.57x0.1mm，便于集成到各种微波电路中。其最大输入功率可达+44.8dBm，适合高功率应用。产品在-55到+125摄氏度的工作温度范围内稳定运行，确保在各种环境条件下的可靠性。由于其优越的性能，MLI_10-18G广泛应用于通信、雷达以及其他高频电子设备中，是提升系统性能的理想选择。
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