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概述
F1958是Renesas Glitch-FreeTM系列数字步进衰减器的一部分，优化了基站（BTS）无线电卡和其他众多应用的要求。该设备采用紧凑的4 x 4 mm 24引脚封装，具有50Ω输入和输出阻抗，便于集成到无线电或射频系统中。
参数
- 类型 / Type : Digital
- 应用标准 / Application Standards : NFC
- 应用 / Applications : 3G, 4G/LTE, Base station, Broadcast, Repeaters/Boosters, Military
- 频率 / Frequency : 1 MHz to 6 GHz
- 位 / Bits : 7 Bit
- 配置 / Configuration : Solid State
- 衰减范围 / Attenuation Range : 0 to 31.75 dB
- 衰减步骤 / Attenuation Step : 0.25 to 1 dB
- 电源 / Power : 2.51 W
- P1dB / P1dB : 35 dBm
- IIP3 / IIP3 : 60 to 64 dBm
- 峰值功率 / Peak Power : 28.9 to 33.2 dBm
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.1 to 3 dB
- 沉淀时间 / Settling Time : 50 nS
- 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5.5 V
- 界面 / Interface : TTL/Serial/Parallel
- 当前 / Current : 0.25 to 0.4 mA
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 回波损耗 / Return Loss : 12 to 20 dB
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : QFN 24 pin
- 尺寸 / Dimension : 4 x 4 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 105 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Space
- 等级 / Grade : Military
- 备注 / Note : Gain : -1.3 dB, Gain Resolution : 0.25 dB
应用
1. 3G/4G/4G+基站系统 2. 分布式天线系统（DAS） 3. 远程无线电头 4. 有源天线系统（AAS） 5. 宽带卫星设备 6. NFC基础设施 7. 军事通信设备
特征
1. 低插入损耗 2. Glitch-FreeTM技术 3. 超高线性度 > 63dBm IIP3 4. 快速稳定时间500ns 5. 双向RF使用 6. 可靠性高
详述
F1958是一款来自Renesas的数字步进衰减器，专为满足基站和其他无线电应用的严格要求而设计。该产品具有31.75dB的衰减范围，衰减步骤为0.25dB，能够实现超低插入损耗，确保系统的信噪比（SNR）最优。F1958的双向RF使用设计使其在多种应用场景中表现出色，尤其适用于3G、4G及更高级别的基站系统。其可靠性高，采用单片硅芯片构造，具有500ns的快速稳定时间和极高的线性度，能够有效保护功率放大器和ADC在衰减状态转换过程中的安全。该设备的工作温度范围为-40°C至+105°C，适应性强，适合各种严苛环境下的使用。F1958的紧凑封装设计和简单的集成特性使其成为现代无线通信系统中不可或缺的组件。
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智推产品：
F1958EVB评估板
F1958NBGK
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