CHS8618-99F

分类：开关

厂家： United Monolithic Semiconductors

产地：法国

型号： CHS8618-99F

更新时间： 2025-12-12T03:52:02.000Z

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简介：

GaN/SiC pHEMT SPDT Switch from 6 to 18 GHz

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概述

CHS8618-99F是一款基于FET的单片反射开关，工作频率范围为6-18GHz，适用于军事和商业通信系统等广泛应用。

参数

类型 / Type : Solid State
配置 / Configuration : SPDT
终止 / Termination : Reflective
应用行业 / Application Industry : Wireless / Communication
频率 / Frequency : 6 to 18 GHz
插入损耗 / Insertion Loss : 1.3 dB
隔离 / Isolation : 34 dB
P1dB / P1dB : 15.84 W
电源 / Power : 15.84 W
电源电压 / Supply Voltage : -25 to 0 V
开关速度 / Switching Speed : 30 ns
包装类型 / Package Type : Die
尺寸 / Dimension : 1.65 x 2.18 x 0.1 mm
技术 / Technology : pHEMT
工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
存储温度 / Storage Temperature : -55 to 150 Degree C
等级 / Grade : Commercial
等级 / Grade : Military
RoHS / RoHS : Yes

应用

1. 军事通信 2. 商业通信系统

特征

1. 宽频带性能：6-18GHz 2. 高插入损耗隔离度 3. 快速开关时间 4. 适合高功率应用 5. 可靠的GaN/SiC技术

详述

CHS8618-99F是由United Monolithic Semiconductors S.A.S.推出的一款高性能反射开关，工作频率范围为6-18GHz。该产品采用先进的GaN/SiC技术，具有优良的插入损耗和隔离特性，开态插入损耗为1.3dB，关态隔离度达到34dB，能够处理高达42dBm的输入功率。其快速的开关时间为30ns，使得该开关在需要迅速切换的应用场景中表现出色。CHS8618-99F广泛应用于军事和商业通信系统，适用于各种高功率和高频率的需求。该产品的工作温度范围为-40到+85°C，确保在严苛环境下的稳定性能。无论是在研发还是实际应用中，CHS8618-99F都将是您可靠的选择。

规格书

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厂家介绍

United Monolithic Semiconductors 为国防、安全与航天、电信、汽车和工业应用设计、制造和销售领先的射频和毫米波元件及解决方案。我们的内部砷化镓和氮化镓技术具有最先进的性能。其中大部分技术采用代工模式。UMS 还基于砷化镓、氮化镓和硅锗技术提供高达 100GHz 的全系列目录产品，可提供裸芯片和 SMD QFN 无引线封装。

其它

智推产品： CHS8518-99F CHS8718-99F

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