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HG115KA
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简介:
GaAs pHEMT Reflective SPST RF Switch from DC to 12 GHz
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概述
HG115KA是一款反射型GaAs pHEMT SPST开关芯片,工作频率范围从直流到12 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPST
- 终止 / Termination : Reflective
- 频率 / Frequency : DC to 12 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 dB
- 隔离 / Isolation : 60 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -5.5 V
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.50:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.50:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.50:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.24 x 1.16 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试与测量设备
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 小巧的芯片尺寸 4. 宽频率范围
详述
HG115KA是一款高性能的反射型GaAs pHEMT SPST开关,适用于从直流到12 GHz的频率范围。其卓越的性能表现在高达60 dB的隔离度和仅1.5 dB的插入损耗,使其成为无线通信、雷达系统及测试设备等领域的理想选择。该芯片具有小巧的尺寸(1.24mm×1.16mm×0.1mm),便于集成到各种电子设备中。此外,HG115KA的供电电压要求为-5V,控制电压为0/+5V,操作温度范围从-55℃到125℃,这使得它在各种苛刻的环境下都能稳定工作。需要注意的是,该芯片应在干燥和氮气环境中存储,并在使用时避免触碰芯片表面,以防止损坏。总之,HG115KA是一款兼具高性能和可靠性的射频开关,能够满足现代通信系统日益增长的需求。
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