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HG126KB
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简介:
GaAs pHEMT Reflective SPDT RF Switch from DC to 18 GHz
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概述
HG126KB是一款反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片,覆盖频率范围为DC到18GHz,具有极高的隔离度和极低的插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Reflective
- 频率 / Frequency : DC to 18 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1 dB
- 隔离 / Isolation : 40 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -5 V
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.20:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.20:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.20:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1 x 1.14 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 无线通信 2. 测试设备 3. 雷达系统
特征
1. 高隔离度 2. 低插入损耗 3. 宽频率范围
详述
HG126KB是一款高性能的反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片,适用于DC到18GHz的频率范围。该产品以其极低的插入损耗(仅为1 dB)和高达40 dB的隔离度而闻名,能够有效地隔离信号并减少信号损失。HG126KB开关的工作电压为-5V,并且能够在0到+5V之间的控制电压下运行,满足多种应用需求。该开关广泛应用于无线通信、测试设备以及雷达系统等领域,帮助工程师们实现高效的信号处理和传输。其小巧的芯片尺寸(1mm×1.14mm×0.1mm)使其在空间受限的应用中也能轻松集成。使用HG126KB,用户可以期待卓越的性能和可靠性,是射频应用中的理想选择。
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