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HG127K
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简介:
GaAs pHEMT Absorptive SPDT RF Switch from DC to 20 GHz
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概述
HG127K是一款非反射型GaAs pHEMT SPDT开关芯片,覆盖DC至20GHz,具有50dB的高隔离度和1.5dB的极低插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Absorptive
- 频率 / Frequency : DC to 20 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 1.5 dB
- 隔离 / Isolation : 50 dB
- 电源 / Power : 0.5 W
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to -5 V
- 驻波比 / VSWR : 1.40:1
- 驻波比输入 / VSWR Input : 1.40:1
- 驻波比输出 / VSWR Output : 1.40:1
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 1.83 x 1.22 x 0.1 mm
- 技术 / Technology : GaAs pHEMT
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
应用
1. 无线通信 2. 雷达系统 3. 测试和测量设备
特征
1. 高隔离度 2. 极低插入损耗 3. 无需偏置电源 4. 适应宽频率范围
详述
HG127K是一款高性能的GaAs MMIC SPDT开关,专为需要高隔离度和低插入损耗的应用而设计。它适用于无线通信、雷达系统以及各种测试和测量设备。该产品支持DC到20GHz的宽频率范围,具有极低的插入损耗和高达50dB的隔离度,确保信号的完整性和质量。此外,HG127K无需偏置电源,操作电压范围为0/-5V,简化了系统的设计和集成。其紧凑的芯片尺寸为1.83mm×1.22mm×0.1mm,适合于空间受限的应用场景。HG127K还具备良好的温度稳定性,适合在-55℃到125℃的环境下工作,广泛应用于现代射频系统中。
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智推产品:
低插入损耗射频开关
高隔离度射频开关
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