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ADRF5132
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简介:
Solid State SPDT Reflective Switch from 0.7 to 5 GHz
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概述
ADRF5132是一款高功率、反射式的硅单刀双掷(SPDT)开关,工作频率范围为0.7 GHz到5.0 GHz,适用于高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Reflective
- 应用 / Application : 4G/LTE
- 应用行业 / Application Industry : Cellular, Wireless Infrastructure, Military, Test & Measurement
- 频率 / Frequency : 0.7 to 5 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.5 to 0.65 dB
- 隔离 / Isolation : 35 to 50 dB
- P1dB / P1dB : 17.782 W
- 电源 / Power : 6.309 to 19.952 W
- IIP3 / IIP3 : 62 to 68 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 1584.89 to 6309.57 W
- 峰值功率 / Peak Power : 20 W
- 电源电压 / Supply Voltage : 5 V
- 供电电流 / Supply Current : 1.1 mA
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5.0 V
- 开关速度 / Switching Speed : 140 to 550 nS
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 3 mm × 3 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 105 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1.蜂窝/4G基础设施 2.无线基础设施 3.军事和高可靠性应用 4.测试设备 5.针二极管替代
特征
1.低插入损耗 2.高功率处理能力 3.高线性度 4.单电源供电 5.16引脚LFCSP封装
详述
ADRF5132是一款高功率、反射式的硅单刀双掷开关,专为高功率和蜂窝基础设施应用设计。它的工作频率范围为0.7 GHz到5.0 GHz,适合各种无线基础设施和军事应用。此开关的典型插入损耗为0.6 dB,隔离度高达50 dB,确保信号的质量和稳定性。ADRF5132的高功率处理能力使其能够在极端条件下工作,适合长期演进(LTE)基站等关键应用。它采用16引脚LFCSP封装,支持单电源供电,简化了设计和集成。此产品在设计时考虑了长期可靠性,适合高要求的射频应用。
规格书
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
其它
智推产品:
ADRF5131
ADRF5133
ADRF5134
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