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HMC349ALP4CE
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简介:
Solid State SPDT Absorptive Switch from 0.4 to 4 GHz
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概述
HMC349ALP4CE 是一款高隔离、非反射的氮化镓(GaAs)单极双掷(SPDT)开关,频率范围从 100 MHz 到 4 GHz,适用于无线基础设施应用。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Absorptive
- 应用行业 / Application Industry : Cellular, Wireless / Communication, Broadcast, Test & Measurement
- 应用类型 / Application Type : Radio
- 频率 / Frequency : 0.4 to 4 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.9 to 1.7 dB
- 隔离 / Isolation : 46 to 65 dB
- P1dB / P1dB : 0.316 to 1.258 W
- 电源 / Power : 0.446 to 2.238 W
- IIP3 / IIP3 : 52 to 53 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 158.48 to 199.52 W
- 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5 V
- 供电电流 / Supply Current : 1 to 3.5 mA
- 控制电压 / Control Voltage : ±1 V
- 开关速度 / Switching Speed : 60 to 150 nS
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : LFCSP
- 尺寸 / Dimension : 4 mm × 4 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 无线基础设施 2. 移动无线电 3. 测试设备
特征
1. 高隔离性 2. 低插入损耗 3. 高输入线性度 4. 单一正电源供电 5. CMOS/TLL 兼容控制
详述
HMC349ALP4CE 是一款高性能的单极双掷开关,专为无线基础设施设计,能够在 100 MHz 到 4 GHz 的频率范围内工作。它具有高达 62 dB 的隔离度和低达 1.0 dB 的插入损耗,确保信号的高质量传输。该开关采用氮化镓(GaAs)材料制造,具有良好的输入线性度和高功率处理能力,适合各种无线通信设备和测试设备的应用。其 CMOS/TLL 兼容的控制接口使得集成和操作变得更加简单,适合现代射频设计的需求。HMC349ALP4CE 的设计确保了在不同工作条件下的可靠性和稳定性,是工程师在选择射频开关时的理想选择。
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
其它
智推产品:
HMC8038
HMC349ALP4CETR
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