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HMC536MS8G
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简介:
0 to 6000 MHz, SPDT Switch for Wireless Infrastructure Applications
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概述
HMC536MS8G与HMC536MS8GE是适用于DC - 6 GHz频段的GaAs MMIC T/R开关,具有出色的功率处理能力和低插入损耗,适用于多种通信基础设施应用。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 应用 / Application : WiMAX, WiBro, PCN, 3G/WCDMA
- 应用行业 / Application Industry : Wireless Infrastructure
- 应用行业 / Application Industry : Cellular
- 频率 / Frequency : DC to 6 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.5 dB
- 隔离 / Isolation : 27 dB
- P1dB / P1dB : 5.01 W
- 电源 / Power : 5.01 W
- IIP3 / IIP3 : 48 to 56 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 63 to 398 W
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 5 V
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 连接器 / Connectors : SMA
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 移动通信基站 2. ISM/MMDS/WiMAX 3. CATV/CMTS 4. 测试仪器
特征
1. 低插入损耗 2. 快速开关速度 3. 良好的功率处理能力 4. 适用于正电压控制
详述
HMC536MS8G与HMC536MS8GE是高性能的GaAs MMIC正控制T/R开关,工作频率范围为DC至6 GHz。其设计特别适合用于移动通信基站、ISM/MMDS/WiMAX以及CATV/CMTS等多个应用场景。该产品具有出色的插入损耗,典型值为0.5 dB,隔离度可达27 dB,确保信号传输的高质量。此外,HMC536系列开关还具有快速的开关速度,典型的上升和下降时间为15 ns,满足高频应用的需求。其输入功率处理能力强,在+3V控制电压下,P0.1dB压缩点可达到+29 dBm,确保在高功率信号下的稳定工作。该系列产品广泛应用于各种射频应用,因其出色的性能和可靠性,成为射频工程师的理想选择。
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
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