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HMC574AMS8E
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简介:
Solid State SPDT Reflective Switch from DC to 3 GHz
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概述
HMC574AMS8E是一款低成本的SPDT开关,采用8引脚MSOP封装,适用于需要在高功率水平下实现非常低失真的发射/接收应用。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Reflective
- 应用 / Application : 3G/WCDMA, Private Mobile Radios (PMR), WLAN, WiMAX, WiBro
- 应用行业 / Application Industry : Cellular, Test & Measurement, Automotive, Broadcast
- 应用类型 / Application Type : Radio
- 频率 / Frequency : DC to 3 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.3 to 0.25 dB
- 隔离 / Isolation : 16 to 30 dB
- P1dB / P1dB : 1.258 to 7.943 W
- 电源 / Power : 5 W
- IIP3 / IIP3 : 63 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 1995.26 W
- 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 8 V
- 供电电流 / Supply Current : 0.5 to 20 mA
- 控制电压 / Control Voltage : -0.2 V
- 开关速度 / Switching Speed : 40 to 70 nS
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : MSOP8
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 移动通信/3G基础设施 2. 私人移动无线电手持设备 3. WLAN、WiMAX和WiBro 4. 汽车远程信息处理 5. 测试设备
特征
1. 低插入损耗 2. 高三阶截取点 3. 良好的隔离性能 4. 单一正电源供电 5. SMT封装设计
详述
HMC574AMS8E是一款高性能的GaAs MMIC T/R开关,专为需要在高功率水平下实现低失真的应用而设计。它的工作频率范围为DC到3 GHz,适合于移动通信、私人移动无线电、WLAN、WiMAX和汽车远程信息处理等多种应用场景。该设备具有出色的性能参数,包括低插入损耗(典型值为0.3 dB)和高隔离度(30 dB),使其在高功率操作下保持信号完整性。此外,HMC574AMS8E支持单一正电源供电,简化了电路设计。其小巧的MSOP封装适合高密度应用,进一步提升了其市场竞争力。
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
其它
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