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HMC646LP2
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简介:
100 to 2100 MHz, SPDT Switch for Wireless Infrastructure Applications
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概述
HMC646LP2(E)是一个用于发射/接收和LNA保护应用的SPDT开关,具有极低的失真和高达40瓦的功率处理能力。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 应用 / Application : TD-SCDMA, 3G/WCDMA
- 应用行业 / Application Industry : Wireless Infrastructure
- 应用行业 / Application Industry : Cellular
- 频率 / Frequency : 100 MHz to 2.1 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.4 dB
- 隔离 / Isolation : 20 dB
- P1dB / P1dB : 39.8 W
- 电源 / Power : 39.8 W
- IIP3 / IIP3 : 74 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 25118.86 W
- 控制电压 / Control Voltage : 0 to 8 V
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. LNA保护与T/R切换 2. TD-SCDMA / 3G基础设施 3. 卫星用户终端 4. 私人移动无线电与公共安全手持设备 5. 汽车远程信息处理
特征
1. 高输入功率P0.1dB: +46 dBm 2. 低插入损耗: 0.4 dB 3. 高IIP3: +74 dBm 4. 单一正控制: 0/+3V到0/+8V 5. 失效安全操作; 当无电源时Tx '开启' 6. 2x2mm DFN SMT封装
详述
HMC646LP2 / 646LP2E是一款高性能的GaAs MMIC开关,专为需要高功率处理和低失真的射频应用而设计。其工作频率范围从0.1 GHz到2.1 GHz,最高支持40瓦的功率处理能力,使其非常适合用于TD-SCDMA、3G基础设施、卫星用户终端、私有移动无线电和公共安全设备等领域。该产品的设计确保了出色的插入损耗和隔离性能,能够在各种严苛环境下稳定工作。此外,HMC646LP2(E)的失效安全特性确保在失去电源时仍能保持发射端的开启状态,极大地提升了系统的可靠性。其小型DFN封装也方便了集成和应用。无论是在汽车远程信息处理还是卫星通讯领域,HMC646LP2 / 646LP2E都能提供卓越的性能。
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
其它
智推产品:
HMC646LP2E
HMC646LP2
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