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HMC784A
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简介:
Solid State SPDT Reflective Switch from DC to 4 GHz
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概述
HMC784AMS8GE 是一款高功率 SPDT 开关,采用 8 引脚 MSOPG 封装,适用于需要在高输入信号功率下实现非常低失真的发射接收应用。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SPDT
- 终止 / Termination : Reflective
- 应用 / Application : 4G/LTE, WiMAX
- 应用行业 / Application Industry : Cellular, Test & Measurement, Automotive
- 应用类型 / Application Type : Radio
- 频率 / Frequency : DC to 4 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.3 to 1.5 dB
- 隔离 / Isolation : 24 to 28 dB
- P1dB / P1dB : 10 W
- 电源 / Power : 7.943 W
- IIP3 / IIP3 : 60 to 62 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 1000 to 1584.89 W
- 电源电压 / Supply Voltage : -0.2 to 9 V
- 供电电流 / Supply Current : 0.5 to 20 mA
- 控制电压 / Control Voltage : 3 to 8 V
- 开关速度 / Switching Speed : 82 to 112 nS
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 蜂窝/4G 基础设施 2. WiMAX, WiBro & 固定无线 3. 汽车远程信息处理 4. 移动无线电 5. 测试设备
特征
1. 高功率开关 2. 低插入损耗 3. 优异的互调性能 4. 单电源操作 5. 兼容 CMOS 逻辑
详述
HMC784AMS8GE 是 Analog Devices, Inc. 生产的一款高功率 GaAs MMIC 开关,专为需要高输入信号功率且要求低失真的应用而设计。该设备能够控制从 DC 到 4 GHz 的信号,适用于蜂窝基础设施、WiMAX、汽车远程信息处理、移动无线电和测试设备等多种场景。其在 +8V 电压下的输入 P1dB 达到 +40 dBm,具有优异的互调性能,三阶截获点超过 +60 dBm,确保在高功率应用中的可靠性和稳定性。HMC784AMS8GE 的插入损耗低至 0.3 dB,隔离度高达 24 dB,适合各种射频设计需求。该产品封装为 8 引脚 MSOPG,尺寸为 14.8 mm²,便于集成到紧凑的电路板设计中。其单电源操作的特性,使得它在多种逻辑电平下都能正常工作,兼容性强。总之,HMC784AMS8GE 是一款性能卓越的射频开关,能够满足现代通信设备对高效、低损耗的严格要求。
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厂家介绍
凭借对设计技能、系统理解和工艺技术的独特组合,Analog Devices 提供最广泛的射频集成电路产品组合,涵盖从业界领先的高性能射频功能块到高度集成的单芯片收发器解决方案的整个射频信号链。射频功能块包括 DDS 和 PLL 合成器、TruPwr 功率检测器和对数放大器、X-Amp VGA、功率放大器、LNA 和其他放大器、混频器以及直接转换调制器和解调器产品。
其它
智推产品:
HMC784AMS8GE 评估电路板
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