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BGS15MU14
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简介:
High Isolation SP5T Switch from 0.4 to 6 GHz
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概述
BGS15MU14 RF CMOS开关专为LTE和5G反馈接收应用而设计,提供高隔离度、低插入损耗和低谐波产生,工作频率可达6GHz。
参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SP5T
- 应用 / Application : 4G/LTE, 5G
- 应用行业 / Application Industry : Wireless Infrastructure
- 应用行业 / Application Industry : Cellular
- 频率 / Frequency : 400 MHz to 6 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.46 to 1.57 dB
- 隔离 / Isolation : 41 to 70 dB
- 电源 / Power : 0.1 W
- 峰值功率 / Peak Power : 23 dBm
- 电源电压 / Supply Voltage : 1.65 to 1.95 V
- 供电电流 / Supply Current : 60 to 100 uA
- 开关速度 / Switching Speed : 180 ns
- 控制 / Control : MIPI RFFE 2.1
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 驻波比 / VSWR : 1:1
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : Ultra low profile leadless plastic package
- 尺寸 / Dimension : 1.5 x 1.9 mm
- 技术 / Technology : GaAs
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55 to 150 Degree C
- 等级 / Grade : Commercial
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 从PA模块反馈接收信号路由 2. 高隔离度的通用接收开关 3. LTE和5G应用
特征
1. 高线性度,输入功率可达20dB 2. 快速切换速度(180ns) 3. 低插入损耗和高端口间隔离度 4. 低电流消耗 5. MIPI RFFE 2.1兼容控制接口 6. 超低轮廓无引脚塑料封装 7. 小型化设计 8. RoHS和WEEE兼容包装
详述
BGS15MU14是一款高性能的RF CMOS开关,专为LTE和5G反馈接收应用而设计。它提供了高达20dB的线性度,确保在高输入功率下的稳定性和可靠性。其快速的切换速度(180ns)和低插入损耗(在不同频段内的插入损耗范围为0.46-1.39dB)使其成为无线通信系统中的理想选择。该开关的隔离度高达70dB,确保信号的完整性和系统的整体性能。此外,BGS15MU14还具备低电流消耗特点,符合MIPI RFFE 2.1标准,适合各种工业应用。其超低轮廓的无引脚塑料封装设计,使得该产品在空间受限的应用中也能轻松集成。总之,BGS15MU14是一款集高性能与小型化于一体的射频开关,适用于现代无线通信的多种需求。
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厂家介绍
英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)设计和制造半导体和系统解决方案,以应对现代社会面临的三大挑战--能源效率、移动性和安全性。其产品范围包括基于模拟和混合信号、射频和电源以及嵌入式控制的产品。 英飞凌在全球拥有 26,000 多名员工。
其它
智推产品:
SP5T高隔离开关
低功耗射频开关
5G射频开关
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