HI5731

参数

• 决议 / Resolution : 12 Bit
• 采样率 / Sample Rate : 100 MSps
• DNL / DNL : 0.5 to 1.0 LSB
• INL / INL : 0.75 to 1.5 LSB
• SFDR / SFDR : 77 to 85 dBc
• 压摆率 / Slew Rate : 1000 V/µs
• 设置时间 / Setup Time : 2 to 3 ns
• 沉淀时间 / Settling Time : 20 ns
• 上升时间 / Rise Time : 675 ps
• 秋季时间 / Fall Time : 470 ps
• 保持时间 / Hold Time : 0.25 to 0.5 ns
• 增益误差 / Gain Error : 1 to 10%
• 功率耗散 / Power Dissipation : 650 mW
• 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5 V
• Vref / Vref : -1.27 to -1.17 V
• 应用 / Applications : Cellular
• 应用 / Applications : Base Station
• 应用 / Applications : Medical
• 应用 / Applications : Test Instrumentation
• 应用 / Applications : Wireless Communication
• 包装 / Package : 28 Lead SOIC
• 存储温度 / Storage Temperature : -60 to 150 Degree C
• 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C

厂家介绍