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CT2010D
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简介:
6 to 12 GHz, 300 W Chip Termination
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概述
该产品是一种高功率密度的终端电路元件,采用CVD金刚石材料,适用于高频应用。
参数
- 类型 / Type : Chip Termination
- 频率 / Frequency : 6 to 12 GHz
- 电源 / Power : 300 W
- 峰值功率 / Peak Power : 6 kW
- 阻抗 / Impedance : 50 ohms
- 应用 / Application : Wireless Infrastructure, Test & Measurement
- 应用类型 / Application Type : Satellite
- 应用类型 / Application Type : Military
- 驻波比 / VSWR : 1.30:1, 1.40:1
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 包装类型 / Package Type : Chip
- 尺寸 / Dimension : 0.2 x 0.3 x 0.14 Inch(L x W x H)
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 150 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55 to 150 Degree C
- RoHS / RoHS : Yes
应用
1. 通信设备 2. 雷达系统 3. 射频放大器 4. 测试和测量设备
特征
1. 高功率处理能力 2. 宽频带 3. 低驻波比 4. 优异的温度稳定性
详述
TERMINATION CVD DIAMOND CHIP 300 WATTS是一种高性能的射频终端元件,专为高功率应用而设计。该产品采用CVD金刚石材料,具备优异的热导性和电气性能,能够在高达300瓦特的连续功率下稳定运行,峰值功率可达8000瓦特,适合高频率范围内的应用。其工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,确保在极端环境下也能可靠工作。此外,低驻波比(最大1.25:1)和优良的温度系数使得该产品在各种射频系统中表现出色。适用于通信设备、雷达系统及测试测量设备等多个领域,是射频工程师的理想选择。通过使用此产品,您可以提高系统的整体性能和可靠性,满足现代高频应用的需求。
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厂家介绍
EMC 技术和佛罗里达射频实验室隶属于史密斯互联公司,是国际公认的射频和微波电阻元件、信号分配产品和电缆组件的开发和制造领域的领先企业。我们为电信、军事、广播设备、航天、航空航天、医疗设备以及测试和测量市场的客户提供支持。我们的产品包括固定和 Thermopad® 温度可变衰减器、端接、射频电阻器、HybriX® 3dB 混合和定向耦合器、射频/微波电缆组件、智能探测器温度传感端接和混合特种产品。
其它
智推产品:
高功率放大器
射频滤波器
功率分配器
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