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概述
GaAs单片微波集成电路衰减器
参数
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 衰减 / Attenuation : 1 dB
- 电源 / Power : 33 dBm
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 0.6 x 0.75 x 0.1 mm
- 应用标准 / Application_Standards : Avionics, Transmitters & Receivers, Synthesizers
- 应用 / Applications : Military
- 应用 / Applications : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- RoHS / RoHS : Yes
- 衰减精度 / Attenuation Accuracy : ±0.2 to 0.4 dB
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Return Loss : 18 to 30 dB
应用
1. 组装和粘接图 2. 粘接图
特征
1. 通过带宽:DC~40GHz 2. 小型化设计 3. 高输入功率处理能力
详述
MAT_1dB是一款高性能的GaAs单片微波集成电路衰减器,专为满足现代高频电路的需求而设计。其工作频率范围从直流到40GHz,能够提供稳定的1dB衰减,适合于各种射频应用。该产品的尺寸为0.6x0.75x0.1mm,非常适合紧凑型设计。MAT_1dB的最大输入功率可达到+33dBm,能够在极端的工作温度下稳定运行,存储温度范围为-65至+150摄氏度,工作温度范围为-55至+125摄氏度。此外,产品的设计考虑了低电阻接地,以确保最佳的电气性能,适合广泛的应用场景,如高频电路的组装和粘接。无论是在研发还是在生产过程中,MAT_1dB都能为用户提供高可靠性和优异的性能,是射频工程师和设计师的理想选择。
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