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概述
GaAs单片微波集成电路衰减器，适用于高频信号处理。
参数
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 衰减 / Attenuation : 2 dB
- 电源 / Power : 33 dBm
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 0.6 x 0.75 x 0.1 mm
- 应用标准 / Application_Standards : Avionics, Transmitters & Receivers, Synthesizers
- 应用 / Applications : Military
- 应用 / Applications : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- RoHS / RoHS : Yes
- 衰减精度 / Attenuation Accuracy : ±0.2 to 0.4 dB
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Return Loss : 18 to 30 dB
应用
1. 组装和粘接图 2. 粘接图
特征
1. 适用频率范围广 2. 低插入损耗 3. 小型化设计
详述
MAT_2dB是一款高性能的GaAs单片微波集成电路衰减器，专为高频信号处理设计，频率范围涵盖DC到40GHz。其具有2dB的衰减性能，适用于多种应用场景，包括组装和粘接。产品的尺寸为0.6x0.75x0.1mm，适合小型化设计需求。为了确保最佳的电气性能，建议在低电阻接地平面上直接粘接。其绝对最大输入功率为+33dBm，工作温度范围为-55至+125摄氏度，储存温度则可达到-65至+150摄氏度。该产品的低插入损耗和优良的回波损耗特性使其在微波通信、测试设备和其他高频应用中表现出色。适合需要高可靠性和高性能的射频系统。
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