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概述
GaAs单片微波集成电路衰减器，具有优良的电气性能和高频特性。
参数
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 衰减 / Attenuation : 30 dB
- 电源 / Power : 33 dBm
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 0.6 x 0.75 x 0.1 mm
- 应用标准 / Application_Standards : Avionics, Transmitters & Receivers, Synthesizers
- 应用 / Applications : Military
- 应用 / Applications : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- RoHS / RoHS : Yes
- 衰减精度 / Attenuation Accuracy : ±0.5 dB
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Return Loss : 18 to 30 dB
应用
1. 组装和粘接图 2. 粘接图
特征
1. 直流至40GHz的宽频带 2. 高达30dB的衰减 3. 小尺寸设计 4. 低静态电阻
详述
MAT_30dB是MISOTECH公司推出的一款高性能GaAs单片微波集成电路衰减器，适用于频率范围为DC到40GHz的应用。该衰减器具有高达30dB的衰减能力，适合需要高频信号处理的电路。其小巧的尺寸（0.6x0.75x0.1mm）使其在空间受限的应用中也能发挥良好的性能。该产品的最大输入功率为+33dBm，能够在-55至+125摄氏度的工作温度范围内稳定运行。为了确保最佳的电气性能，建议将其直接粘接到低电阻的接地平面上。通过合理的安装与粘接方法，MAT_30dB能够在各种高频应用中提供可靠的性能，是射频工程师的理想选择。
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