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概述
GaAs单片微波集成电路衰减器，具有宽频带和优良的电气性能。
参数
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 衰减 / Attenuation : 3 dB
- 电源 / Power : 33 dBm
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 0.6 x 0.75 x 0.1 mm
- 应用标准 / Application_Standards : Avionics, Transmitters & Receivers, Synthesizers
- 应用 / Applications : Military
- 应用 / Applications : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- RoHS / RoHS : Yes
- 衰减精度 / Attenuation Accuracy : ±0.2 to 0.4 dB
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Return Loss : 18 to 30 dB
应用
1. 组装和粘接图 2. 粘接图 3. 电路考虑
特征
1. 宽频带：DC到40GHz 2. 低衰减：3dB 3. 小尺寸：0.6x0.75x0.1mm
详述
MAT_3dB是一款高性能的GaAs单片微波集成电路衰减器，广泛应用于各种射频和微波信号处理场合。该衰减器支持DC到40GHz的频率范围，具有低达3dB的衰减特性，确保信号的稳定传输。其小巧的尺寸（仅为0.6x0.75x0.1mm）使其非常适合于空间有限的应用环境。为了达到最佳的电气性能，建议将该芯片直接安装在低电阻的接地平面上，并使用导电环氧树脂进行粘接。产品设计考虑了高频连接的特性，确保了信号传输的可靠性。无论是在通信、雷达还是其他高频应用中，MAT_3dB都能提供卓越的性能，是射频工程师的理想选择。
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