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概述
GaAs单片微波集成电路衰减器，适用于高频信号处理。
参数
- 频率 / Frequency : DC to 40 GHz
- 衰减 / Attenuation : 9 dB
- 电源 / Power : 33 dBm
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 尺寸 / Dimension : 0.6 x 0.75 x 0.1 mm
- 应用标准 / Application_Standards : Avionics, Transmitters & Receivers, Synthesizers
- 应用 / Applications : Military
- 应用 / Applications : Broadcast
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Military
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- RoHS / RoHS : Yes
- 衰减精度 / Attenuation Accuracy : ±0.2 to 0.4 dB
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 125 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Return Loss : 18 to 30 dB
应用
1. 组装和连接图示 2. 线焊接图示
特征
1. 通过频带：DC~40GHz 2. 低回波损耗 3. 小型化设计
详述
MAT_9dB是一款高效的GaAs单片微波集成电路衰减器，专为满足现代通信系统对高频信号处理的需求而设计。其工作频率范围从直流到40GHz，能够提供稳定的9dB衰减，适合各类高频应用。该产品的尺寸仅为0.6x0.75x0.1mm，便于集成在紧凑型设备中。其优异的低回波损耗特性确保了信号的高质量传输。为了获得最佳的电气性能，建议将其直接粘贴在低电阻接地平面上，并使用导电环氧树脂进行固定。MAT_9dB在-55至+125摄氏度的工作温度范围内表现出色，适应各种严苛环境。无论是在通信、电子设备还是其他高频应用中，MAT_9dB都是理想的选择。
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