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概述
ENGFD00076是一款宽带铝氮化物（AlN）50欧姆终端，覆盖直流至50 GHz频段，设计为50欧姆匹配，提供典型的20 dB回波损耗，能够处理大于4 W的射频连续波信号。
参数
- 类型 / Type : Chip Termination
- 频率 / Frequency : DC to 50 GHz
- 电源 / Power : 4 W
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 应用 / Application : Military, Commercial, SATCOM, Electronic warfare, Test & Measurement, Wireless Infrastructure, Telecommunications
- 应用类型 / Application Type : Military and Commercial SATCOM
- 应用类型 / Application Type : Electronic Warfare Circuits
- 应用类型 / Application Type : Receive or Transmit Circuits
- 应用类型 / Application Type : Telecom Infrastructure
- 应用类型 / Application Type : Test and Measurement Systems
- 驻波比 / VSWR : 1.22:1
- 回波损耗 / Return Loss : 20 dB
- 等级 / Grade : Military
- 等级 / Grade : Commercial
- 等级 / Grade : Space
- 尺寸 / Dimension : 0.76 x 0.76 x 0.25 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -55 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
- 备注 / Note : Thermal Resistance : 18 °C / W, Temperature Coefficient of Resistance : ±100 ppm / °C, Resistance : 47.5 to 52.5 Ohms
应用
1. 军事和商业卫星通信 2. 电子战电路 3. 接收或发射电路 4. 电信基础设施 5. 测试和测量系统
特征
1. 优秀的回波损耗（20 dB典型） 2. 高功率处理能力（> 4 W） 3. 支持线焊和带焊 4. 尺寸小（0.030 x 0.030 x 0.010 inch）
详述
ENGFD00076是一款高性能的宽带50欧姆终端，广泛应用于军事和商业卫星通信、电子战电路及电信基础设施等领域。其设计确保了在直流到50 GHz频段内的优越性能，提供了典型的20 dB回波损耗和超过4 W的高功率处理能力。该设备采用铝氮化物材料，具备出色的热管理性能，适合在各种严苛环境下运行。其小巧的尺寸设计（0.030 x 0.030 x 0.010 inch）使其能够轻松集成到各种射频系统中。同时，该终端支持线焊和带焊的连接方式，便于在高频应用中实现可靠的电气连接。无论是在测试测量系统还是在电信基础设施中，ENGFD00076都能提供优异的性能和可靠性，是射频工程师的理想选择。
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