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PE426412
简介:
SP12T Ultra CMOS (SOI) RF Switch from 10 MHz to 8 GHz
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参数
- 类型 / Type : Solid State
- 配置 / Configuration : SP12T
- 终止 / Termination : Absorptive
- 应用行业 / Application Industry : Wireless Infrastructure, Test & Measurement
- 频率 / Frequency : 10 MHz to 8 GHz
- 插入损耗 / Insertion Loss : 0.7 to 2.4 dB
- 隔离 / Isolation : 22 to 69 dB
- P1dB / P1dB : 5.6 to 10 W
- 电源 / Power : 1.25 W
- IIP3 / IIP3 : 60 dBm
- IIP3 (W) / IIP3 (W) : 1000 W
- 电源电压 / Supply Voltage : 2.3 to 5.5 V
- 供电电流 / Supply Current : 120 to 200 µA
- 开关速度 / Switching Speed : 232 to 300 ns
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : 32L QFN
- 尺寸 / Dimension : 5 × 5 × 0.85 mm
- 技术 / Technology : HaRP
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 105 Degree C
- 等级 / Grade : Military
- 等级 / Grade : Commercial
- 备注 / Note : Rise Time : 100 ns, Fall Time : 100 ns
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厂家介绍
村田制作所旗下的 pSemi 公司是高性能射频集成电路(RFIC)的领先无晶圆供应商。公司的解决方案采用 UltraCMOS® 技术,这是一种已获专利的先进绝缘体上硅(SOI)技术,可在单个芯片上设计、制造和集成多种射频、模拟和数字功能。UltraCMOS 技术将传统特种工艺的高性能与标准 CMOS(应用最广泛的半导体工艺技术)的基本优势相结合。
pSemi 的卓越线性度、功率处理和谐波性能使其产品能够满足航空航天和国防、宽带、工业、移动无线设备、测试和测量 (T&M) 设备以及无线基础设施市场等广泛应用的严格要求。
pSemi 的产品通过直销和现场应用工程人员以及独立销售代表和分销合作伙伴网络销往世界各地。
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