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PE43650
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简介:
5-Bit Digital Step Attenuator from 9 kHz to 6 GHz
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概述
PE43650是一款高线性5位RF数字步进衰减器(DSA),具有15.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB,采用Peregrine的UltraCMOS™工艺制造,提供高衰减精度和低插入损耗。
参数
- 类型 / Type : Digital
- 应用 / Applications : 3G, 4G/LTE, Wireless Infrastructure, Base station, Cellular, Radio, Point-to-Point Radio
- 频率 / Frequency : 9 KHz to 6 GHz
- 位 / Bits : 5 Bit
- 渠道 / Channels : 1 Channel
- 配置 / Configuration : Solid State
- 衰减范围 / Attenuation Range : 0 to 15.5 dB
- 衰减步骤 / Attenuation Step : 0.5 dB
- 电源 / Power : 0.2 W
- P1dB / P1dB : 30 to 32 dBm
- IIP3 / IIP3 : 58 dBm
- 插入损耗 / Insertion Loss : 2.4 to 2.9 dB
- 切换时间 / Switching Time : 650 ns
- 沉淀时间 / Settling Time : 4 us
- 电源电压 / Supply Voltage : 3 to 5.5 V
- 界面 / Interface : TTL/Serial/Parallel
- 当前 / Current : 70 to 350 uA
- 阻抗 / Impedance : 50 Ohms
- 回波损耗 / Return Loss : 17 dB
- 包装类型 / Package Type : Surface Mount
- 包装 / Package : 24-lead QFN
- 尺寸 / Dimension : 4x4 mm
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 85 Degree C
- 存储温度 / Storage Temperature : -65 to 150 Degree C
应用
1. 3G/4G无线基础设施 2. RF/IF增益控制 3. 基站(BTS)和远程无线电头(RRH) 4. 光学和RF中继器 5. 分布式天线系统(DAS) 6. 陆地移动无线电系统 7. 点对点通信系统
特征
1. 0.5 dB步进衰减 2. 高线性度,典型IP3为+58 dBm 3. 优秀的低频性能 4. 多种编程模式:直接并行、锁存并行、串行 5. 兼容CMOS 6. 无需直流隔离电容 7. 24引脚4x4x0.85 mm QFN封装
详述
PE43650是一款由pSemi Corporation开发的高性能RF数字步进衰减器,具有15.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB。它采用UltraCMOS™工艺,结合了高线性度和低功耗特性,确保在各种频率和温度条件下的高衰减精度。该产品广泛应用于3G/4G无线基础设施、基站、光学和RF中继器等场景,满足现代通信系统对高性能的需求。PE43650支持多种编程模式,包括直接并行和串行,适合不同的应用需求。其24引脚QFN封装设计使其在紧凑的空间内也能提供卓越的性能,是射频应用中理想的选择。
规格书
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厂家介绍
村田制作所旗下的 pSemi 公司是高性能射频集成电路(RFIC)的领先无晶圆供应商。公司的解决方案采用 UltraCMOS® 技术,这是一种已获专利的先进绝缘体上硅(SOI)技术,可在单个芯片上设计、制造和集成多种射频、模拟和数字功能。UltraCMOS 技术将传统特种工艺的高性能与标准 CMOS(应用最广泛的半导体工艺技术)的基本优势相结合。
pSemi 的卓越线性度、功率处理和谐波性能使其产品能够满足航空航天和国防、宽带、工业、移动无线设备、测试和测量 (T&M) 设备以及无线基础设施市场等广泛应用的严格要求。
pSemi 的产品通过直销和现场应用工程人员以及独立销售代表和分销合作伙伴网络销往世界各地。
其它
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